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数量:24246 |
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规格书 |
KSA733 |
文档 |
Copper Lead Frame 12/Oct/2007 Multiple Devices 14/Mar/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 150mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 10mA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 350 @ 1mA, 6V |
功率 - 最大 | 250mW |
频率转换 | 180MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Box (TB) |
集电极最大直流电流 | 0.15 |
最小直流电流增益 | 350@1mA@6V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 250 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 180(Typ) |
封装 | Ammo |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 60 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大集电极发射极电压 | 50 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Formed |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 150mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 180MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 10mA, 100mA |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 250mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 350 @ 1mA, 6V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
直流电流增益hFE最大值 | 700 |
单位重量 | 0.006279 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 50 V |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.18 V |
集电极最大直流电流 | 0.15 A |
RoHS | In Transition |
连续集电极电流 | - 0.15 A |
增益带宽产品fT | 180 MHz |
最大功率耗散 | 250 mW |
集电极 - 基极电压VCBO | - 60 V |
最低工作温度 | - 55 C |
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